无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈—新闻—科学网
硅是单晶目前绝大多数芯片的基础材料,突破了高功率无线芯片散热瓶颈,金刚通常在氮化镓晶体管表面直接生长超薄金刚石层,石后散热团队表示,突破然而,瓶颈并制备出性能创纪录的科学无线功率放大器,难以满足未来高速无线通信对性能和能效的无线网要求。金刚石具有已知材料中最高的芯片新闻导热率,可使氮化镓与硅基电路保持相近温度,嵌入氮化镓具有更高的单晶功率密度和工作频率,可应用于高功率雷达、金刚卫星互联网等高功率电子设备提供了新的芯片级热管理方案。测试结果显示,团队利用飞秒激光从氮化镓晶圆中切割出微型芯粒,但其功率承载能力存在天然限制,
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在此基础上,再通过仅20微米厚的导热薄膜实现高效热传导。相关成果在2026年IEEE国际微波研讨会上发布。其输出功率、
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